Hellma 氟化鈣主力Lithotec® 光刻級 CaF?單晶是全球 DUV 深紫外光刻原料，193nm/248nm 光刻機標配光學基材，覆蓋芯片光刻、晶圓檢測、刻蝕監(jiān)控、半導體激光四大核心工序，支撐 28nm~7nm 先進制程量產(chǎn)Hellma Group。

Hellma氟化鈣晶體毛坯

一、核心產(chǎn)品先天性能

光譜透過：130nm 真空紫外～9μm 紅外全波段透光，193nm（ArF）10mm 厚度透過率＞99.3%/cm，深紫外幾乎無吸收損耗；

光學精度：nd=1.43384、阿貝數(shù) 95.23（超低色散），應(yīng)力雙折射＜5nm/cm，波前畸變小，消除光刻色差、保障納米級成像；

耐激光特性：193/248nm 準分子激光可承受 **＞10?次脈沖長期輻照 ** 無老化損傷，高激光損傷閾值適配光刻機連續(xù)高功率工況；

尺寸與純度：單晶毛坯最大直徑440mm、雜質(zhì)（金屬 / 氧）≤1ppm，適配大口徑投影物鏡毛坯需求。

二、半導體光刻（最核心應(yīng)用，DUV 光刻機剛需）

1. 248nm KrF 光刻（成熟制程：130nm~28nm）

Hellma CaF?用作投影物鏡鏡片、照明系統(tǒng)勻光鏡、光束棱鏡、激光腔窗口，構(gòu)成光刻機主光路，是佳能、尼康 KrF 機型原廠配套晶體：

照明端：勻光棒、復眼透鏡基材，均勻化準分子激光光束；

投影端：物鏡組核心透鏡（單臺物鏡 15~20 片 CaF?鏡片），完成掩模圖形縮印至晶圓。

2. 193nm ArF 光刻（先進制程：7nm~45nm，干式 / 浸潤式）

Hellma Lithotec® 是全球主流 ArF 光刻機指定原料，浸潤式光刻機物鏡超半數(shù)鏡片采用該氟化鈣：

投影物鏡毛坯：大尺寸 CaF?坯料精加工物鏡，是實現(xiàn)納米線寬曝光的關(guān)鍵；

激光源光路：ArF 準分子激光器諧振腔輸出窗口、分光棱鏡，隔絕真空腔體、透射高能紫外激光；

EUV 極紫外配套：EUV 設(shè)備對準監(jiān)測光路、真空觀測窗（EUV 主反射鏡用鉬硅，輔助光路用 CaF?）。

3. 157nm VUV 光刻（早期 F?光刻研發(fā)）

真空紫外全波段僅 CaF?可穩(wěn)定透光，Hellma 高純氟化鈣為 157nm 機型可用光學晶體。

三、晶圓制程檢測設(shè)備光學元件

1. 晶圓缺陷檢測機（明場 / 暗場檢測）

DUV 顯微成像物鏡鏡片、光源窗口：深紫外激光掃描晶圓，捕捉納米級短路、針孔缺陷；

薄膜厚度測量儀：紫外 - 紅外多波段分光光路棱鏡、分光片，精準測氧化層、光刻膠膜厚。

2. 半導體在線紅外 FTIR 監(jiān)測

CaF?紅外窗口 / 分束鏡：刻蝕、薄膜沉積腔體原位紅外監(jiān)測，實時監(jiān)控氣體組分、薄膜生長速率（1~8μm 紅外高透）。

四、半導體刻蝕、薄膜沉積設(shè)備真空光學窗口

干法刻蝕機（ICP/RIE）：腔體 DUV 觀測窗、激光終點探測窗口，耐等離子體腐蝕、高低溫交變，透過終點檢測紫外激光；

PVD/CVD 鍍膜機：真空腔體光學取樣窗口，在線監(jiān)控鍍膜厚度與均勻度；

優(yōu)勢：耐 HF、鹵族等離子腐蝕、低熱膨脹系數(shù)，真空高低溫環(huán)境光學性能無漂移Hellma Group。

五、半導體工業(yè)紫外激光配套（晶圓切割 / 微調(diào) / 修版）

193/266/355nm 紫外固體激光器：晶圓劃片、掩模版激光修版、芯片微打孔設(shè)備的輸出窗口、聚焦透鏡、諧振腔鏡基底；

激光退火設(shè)備：深紫外光束整形鏡片，用于晶圓離子注入后退火制程光路。

六、半導體封裝與光電芯片基材應(yīng)用

紅外光電探測器、紫外 LED 襯底：CaF?單晶襯底，低介電常數(shù)、寬光譜透光，用于深紫外光電二極管芯片；

先進封裝 AOI 檢測：紫外成像鏡頭、分光元件，檢測 BGA、倒裝芯片焊盤缺陷。

七、Hellma 產(chǎn)品分級與半導體選型

Lithotec® 光刻特級：193/248nm 光刻機物鏡專用，超高均勻度、超低雙折射；

UV 光學級：檢測設(shè)備、刻蝕窗口、工業(yè)紫外激光；

IR 紅外級：制程 FTIR 在線監(jiān)測、紅外半導體檢測設(shè)備